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东芝推出第3代650V SiC MOSFET芯片破解

芯片破解东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiCMOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1]3SiC MOSFET芯片,并采用表面贴装TOLL封装,适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。


 

 

三款新产品是东芝第3SiC MOSFET,采用通用表面贴装TOLL封装,与TO-247TO-247-4L(X)等通孔封装相比,可将器件体积锐减80%以上,并提升设备功率密度。

 

此外,TOLL封装还具有比通孔封装更小的寄生阻抗[2],从而降低开关损耗。作为一款4引脚[3]封装,支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少封装内部源极线电感的影响,实现高速开关性能;在TW048U65C的外壳中,与东芝现有产品[5]相比,其开通损耗降低约55%,关断损耗降低约25%[4],有助于降低设备功耗。

 

芯片破解未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线,为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。

 


应用

服务器、数据中心、通信设备等中的开关电源

电动汽车充电站

光伏逆变器

不间断电




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