东芝推出第3代650V SiC MOSFET芯片破解
芯片破解东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片,并采用表面贴装TOLL封装,适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。
三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET,采用通用表面贴装TOLL封装,与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比,可将器件体积锐减80%以上,并提升设备功率密度。
此外,TOLL封装还具有比通孔封装更小的寄生阻抗[2],从而降低开关损耗。作为一款4引脚[3]封装,支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少封装内部源极线电感的影响,实现高速开关性能;在TW048U65C的外壳中,与东芝现有产品[5]相比,其开通损耗降低约55%,关断损耗降低约25%[4],有助于降低设备功耗。
芯片破解未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线,为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。
? 应用:
- 服务器、数据中心、通信设备等中的开关电源
- 电动汽车充电站
- 光伏逆变器
- 不间断电源