芯片解密氮化镓（GaN）功率芯片的行业领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）宣布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路，进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性，同时增加了纳微氮化镓功率芯片技术的节能和快充优势。

氮化镓（GaN）是下一代半导体材料，芯片解密氮化镓器件的开关速度比传统的硅器件快20倍，在尺寸和重量减半的情况下，可实现高达3倍的功率和3倍的充电速度。纳微半导体的GaNFast?氮化镓功率芯片集成了氮化镓器件和驱动以及保护和控制功能，提供简单、小型、快速和高效的性能表现。

GaNSense技术集成了对系统参数的实时、准确和快速感应，芯片解密包括电流和温度的感知。这项技术实现了正在申请专利的无损耗电流感应能力。与前几代产品相比，GaNSense 技术可额外提高10%的节能效果，并能够进一步减少外部元件数量，缩小系统的尺寸。此外，如果氮化镓功率芯片识别到有潜在的系统危险，该芯片将迅速过渡到逐个周期的关断状态，以保护器件和周围系统。GaNSense技术还集成了智能待机降低功耗功能，在氮化镓功率芯片处于空闲模式时，自动降低待机功耗，有助于进一步降低功耗。这对越来越多积极追求环保的客户来说尤为重要。

凭借业界最严格的电流测量精度和GaNFast响应时间，GaNSense技术缩短50%的危险时间，危险的过电流峰值降低50%。GaNFast氮化镓功率芯片单片集成提供了可靠的、无故障的操作，没有 "振铃"，从而提高了系统可靠性。

纳微半导体联合创始人兼首席运营官/首席技术官Dan Kinzer表示：“芯片解密从检测到保护只需30纳秒，GaNSense技术比分立式的氮化镓功率芯片的实现方案快 600%。纳微半导体下一代采用GaNSense技术的GaNFast氮化镓功率芯片产品，对潜在的系统故障模式提供了高度准确和有效的防护。再加上对高达800V的瞬态电压的免疫力以及严格的栅极波形控制和电压调节，这些功能只有通过我们专有的工艺设计套件才能实现，重新定义了功率半导体中可靠性、坚固性和性能的新标准。”