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芯片解密三星2年后赶超台积电,<20nm产能台湾仅为韩国一半
   三星电子正向下一代芯片业务投入1160亿美元,芯片解密其中包括晶圆代工,三星正在加速与iPhone芯片制造商台积电展开竞争,或将在2022年大规模生产3nm芯片,希望在两年后缩小与其差距,甚至生产业内最先进的半导体。

毕竟,在时间节点的选择上,芯片解密三星与台积电此前预计在2022年下半年3nm芯片量产的目标是一致的。鉴于台积电在7nm与5nm顺利量产至逐步放量都领先三星约两年,这将是两强近年先进制程竞逐赛中,最接近的一次。

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技术上来看,芯片解密三星希望通过采用“GAAFET”技术,可以做得更好甚至弯道超车。因为,这种技术改变了“游戏规则”,它可以更精确地控制跨通道的电流、缩小芯片面积并降低功耗。而台积电还是延续以往更为稳妥的路线,选择成熟的FinFET架构用于其3nm制程。

另外,有分析师认为,芯片解密三星选择的GAA技术有望在2024年被台积电用于2nm制程工艺,甚至提前到2023年下半年。换言之,如果一切顺利的话,三星最早能够在台积电2023年开始2nm生产之前,实现“赶超”。 显然,三星希望在芯片制造和5G网络等先进领域重新实现领导地位,以推动其下一阶段的增长。

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