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单片机解密东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET
   

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)单片机解密今日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括大容量电源),并于今日开始出货。

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该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,单片机解密与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比,具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性,有利于降低功耗,精简系统。

新产品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计生产[1],实现了输入电容低、栅输入电荷低、漏源导通电阻低等特性。与东芝推出的1200V硅绝缘栅双极晶体管(IGBT)“GT40QR21”相比,“TW070J120B”关断开关损耗降低80%左右,开关时间(下降时间缩短大约70%,并且能够在不超过20A[2]的漏极电流下提供低导通电压。

它的栅阈值电压被设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内,单片机解密有助于减少故障风险(意外开启或关闭)。此外,内置的具有低正向电压的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)也有助于降低功率损耗。

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