芯片复制芯片破解工程师们设计的系统通过了IEC 61000-4-5，这是系统级冲击免疫的严格标准。本标准定义了浪涌免干扰测试的测试设置和程序。与IEC 61000-4-2标准所涵盖的ESD事件不同，浪涌事件（通常发生在电力系统切换瞬态或闪电放电场景中）具有更长的脉冲持续时间和更高的能量

IEC 61000-4-5标准根据设备安装的位置，规定了不同的级别或分类，如表1所示。例如，第1类用于部分受保护的环境，而第3类用于电缆并行运行的环境。浪涌电压水平以及来自浪涌冲击的等效阻抗（要求）决定了保护器件需要泄放的浪涌电流峰值。

芯片复制为了提供一致的测试方法来测量浪涌稳定性，lEC 61000-4-5标准定义了组合波形发生器（CWG）来生成浪涌脉冲。图2显示了一个简化的CWG，它有一个为耦合电容（CC）充电的电源。在开关S1闭合时，CC通过由RS1、Rm、Lr和 RS2形成的脉冲成形网络放电。调整这些元件的值会产生一个波形，该波形符合lEC 61000-4-5标准在短路和开路条件下的波形。

芯片破解根据表1，一个2Ω等效阻抗是CWG的固有源阻抗，它是低压电源阻抗的一个很好的模型。一个12Ω等效阻抗（2Ω来自CWG源，10Ω来自耦合网络）模拟电源和地面网络的阻抗，并在电源和地面之间发生浪涌时使用。一个42Ω等效阻抗（来自CWG源的2Ω和来自耦合网络的40Ω）模拟了所有其他线路和地面之间的阻抗。数据或信号线使用此阻抗电平。

IEC 61000-4-5标准定义了浪涌脉冲，芯片复制这些脉冲基于CWG放电到短路时的波形。短路波形具有8μs的前沿时间（类似于上升时间）和20μs的脉冲半值时间，如图3所示。

芯片破解传统TVS二极管作为浪涌钳位器件具有广泛应用。如图4所示的正象限I-V特性曲线中，反向工作电压（VRWM，亦称隔离电压）表征了TVS对受保护电路无明显影响的电压阈值（除寄生电容和漏电流等因素外）。在系统设计中，VRWM的选取需满足不低于系统工作电压上限的要求，否则当工作电压超过VRWM时，TVS二极管将进入导通状态并产生显著漏电流。

击穿电压（VBR）定义了TVS二极管开始主动导电以限制瞬态事件的反向电压。当更多电流流过二极管时，二极管两端的电压将根据其动态电阻（RDYN）而上升。在瞬态事件期间，数安培范围内的电流被迫流过保护器件。通过RDYN的瞬态电流将导致TVS二极管上的电压降逐渐上升。在额定浪涌电流（IPP）下，TVS二极管两端的电压降被定义为TVS的钳位电压（VCLAMP）。对于传统的TVS二极管，RDYN是固定的，而VCLAMP直接取决于电流水平（图5）。在指定的瞬态浪涌电流水平下，VCLAMP必须足够低，以保护所有下游组件。