单片机解密单模激光器芯片通过内置光栅（DFB/DBR）或垂直腔面（VCSEL）结构，实现单一纵模输出（线宽<0.1nm），具备光谱窄、方向性好、频率稳定等特性。核心设计采用半导体外延（如InP/GaAs基）形成量子阱有源区，结合亚微米级光栅实现波长筛选。工艺涵盖高精度光刻、干法刻蚀脊波导、电极集成及气密封装。主要应用于：1、光通信（5G/数据中心高速传输）；2 激光雷达，（自动驾驶精准测距）；3、生物传感、（高分辨率检测）。不同的应用场景用的波长和功率也是不同。

单模激光器因为光斑小，方便光纤耦合，因此ridge一半都比较小，芯片尺寸也会小。比如常用的DFB的尺寸，1000um长度，宽度100um，ridge 2um~5um，较窄的宽度有助于实现单横模（single transverse mode）输出。但是如果想要更大功率的就laser输出，需要加到ridge的宽度，一般有6~10um的ridge。

单片机解密5um的ridge做出来之后，如何套刻出4um的欧姆接触窗口区是个技术和设备问题，对于5um的线条可以用接触曝光机，控制PR和工艺，问题不大，二次套刻就需要stepper光刻机。不用stepper也可以用半曝光或者叫自适应曝光技术，开出5um的接触区。另外一种采用剥离工艺去除 SiO2 制作出 5 μm 电极窗口。但是两种都有很多技术不稳定性，不如stepper的方案。对于一些蝶形封装的也有芯片较大的。比如下面的这个厂家芯片：