漏电断路器因所处的供电节点不同，对漏电特性的要求也不同，因而对应着不同的国家或行业标准。国家标准方面，如：GB/T 16916，GB16917，GB/T 37751，GB/T 6829，GB/T 22794，GB/T 28527，GB/T20044 等等，及相关行业标准，如JB/T 8979, JB/T10494等等，而这些标准大多参考IEC、ISO、ITU等国外标准而设定。IC解密这些标准对漏电保护器的漏电流大小、漏电流最小不关断延时，最大延时，浪涌，群脉冲等等特性及实验方法做了约束。

自2015年矽源半导体进入低压电器行业以来，在漏电保护芯片方面已经涵盖了AC型、AC+S型、A型、A+S型、A+6型、B型等等，满足大部分客户的基本要求。在与客户的技术交流过程中，常常出现的问题是，降压电阻值如何选取、可控硅选型与什么有关、输入滤波电容不清楚如何设置、反延迟如何设置、最小不驱动时间如何设置、IC解密浪涌过不了如何解决、反进线或下进线如何实现等问题。本文章将围绕客户的关注点进行分析介绍。

二、输入滤波电路设计

漏电保护器基于M54123L芯片的产品采用的单端滤波结构，如图2所示。这种方案对于单向的干扰信号具有一定的抑制作用，但是对于双向及电磁干扰的抑制能力较差，容易出现误跳问题。

图2 基于M54123L的漏电方案

为了解决电磁干扰和双向干扰问题，业界开始采用差分滤波方案，如图3所示。

图3 漏电断路器互感器电流差分采集

差分采集部分包含互感器浪涌抑制双向二极管、采集电阻、IC解密滤波电阻和滤波电容，其中困扰工程师的问题是滤波电阻和滤波电容如何选择，本文将从理论和仿真方面做一个基本的介绍。图4和图5给出了互感器输出采样端到漏电芯片输入端口的滤波公式和波形（不考虑等效输入共模电阻）。