真空电容器的性能特点
1、额定电压。由于真空的高绝缘强度，芯片解密加之防尘污染，防潮等特性，使对于一定尺寸和容量来说真空电容器具有大的额定电压值。高的可达几十万伏。
 
2、损耗小，额定电流大。由于电容器采用真空介质和低损耗的绝缘外壳及无氧铜电极结构，在一般对流冷却情况下，即使在很高的频率下，也能通过很大的射频电流。如果采用特殊水冷却结构，射频电流可达上千安培。
 
3、节省空间。对于给定的电容量和额定电压值真空电容器所占空间最小。
 
4、调节范围宽。最大容量和最小容量比值高达150：1，可由几个皮法到几千皮法，成为用于宽调谐范围的理想元件。
 
5、对过电压有自愈能力。芯片解密真空电容器能承受瞬时的过电压，而对其他电容器来说，将会造成永久性破坏。
 
6、高海拔工作能力。真空密封可以使真空电容器工作在高海拔地区而不致使其特性降低。
   

真空电容的技术参数
1）电容量
固定电容器：电容量标称值大于50pF时，芯片解密允许偏差为±5%；5~50pF时，允许偏差为±10%.
 
可变电容器：最大容量允许偏差±5%；最小容量小于或等于标称值。
 
2）射频工作电压射频工作电压是指能够连续加在电容器上而不致影响其承受瞬时过压能力的射频峰值电压的最大值。它通常是峰值试验电压额定值的60%~70%，这一数值是在选用电容器时推荐使用的安全值。
 
3）峰值试验电压峰值试验电压是指能加在电容器上产生击穿（表现为内部或外部的跳火）的工频电压的最大值。电容器在这一电压下所作的试验是确定电容器总体状态的一种手段。
 
4）最大射频电流最大射频电流是指在工作电压、最大容量、一定频率下允许通过电容器的射频电流。
 
5）介质损耗电容器的介质损耗小于或等于10X10-4。
 
6）直流漏电流电容器的直流漏电流不大于15uA。
 

7）转动力矩（对可变电容器而言）芯片解密电容器的转动力矩应符合产品标准规定。