芯片解密和单片机解密和IC解密就是通过半导体反向开发技术手段，IC解密将已加密的芯片变为不加密的芯片，进而使用编程器读取程序。芯片解密方法如下，1.软件攻击2.电子探测攻击3.过错产生技术4.探针技术5.紫外线攻击方法6.利用芯片漏洞7.FIB恢复加密熔丝方法8.修改加密线路的方法。

而磨损均衡 (Wear Leveling)，就是让SD NAND中的每个闪存块的擦除都保持均衡。每一个闪存都是有寿命的，Nand Flash在架构上可以分为SLC、pSLC 、MLC和TLC。它们的区别如下：

SLC 英文全称为Single-Level Cell ，即1bit/cell，每一个单位存储一位数据。速度快寿命长，价格贵（约MLC的3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。

MLC 全称为 Multi-Level Cell，即2bit/cell，每一个单位存储二位数据。速度一般寿命一般，价格一般，约3000-10000次擦写寿命。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存二位数据，数据密度比较大。因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。

TLC 全称为 Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也可以叫8LC，IC解密需要访问的时间更长，因此传输速度更慢。TLC价格便宜，但是速度慢寿命短，约1000次擦写寿命。

pSLC全称为 Pseudo-Single Level Cell（伪单层单元）是一种NAND闪存技术，它通过软件算法和管理策略在MLC或TLC闪存上模拟SLC（单层单元）的工作方式，使得每个存储单元仅存储一个数据位，从而提升写入性能、耐用性和可靠性，同时降低成本，是一种在性能和成本之间取得平衡的存储解决方案，约3万次擦写寿命。