芯片破解长鑫存储二期设备搬入，国产 DRAM 产能大幅提升
芯片破解长鑫存储二期 DRAM 晶圆厂启动核心设备搬入，预计 2026 年 Q4 量产，达产后总产能从 12.5 万片 / 月提升至 20 万片 / 月。同时加速 17nm DRAM 工艺研发，填补国内高端内存芯片空白。长鑫存储是国内唯一实现 DRAM 量产的企业，二期投产后将缓解全球 DRAM 供应紧张，芯片破解降低国内消费电子、服务器对海外存储芯片依赖，推动国产存储芯片市场份额从 5% 提升至 15% 以上。
芯片破解长鑫存储二期 DRAM 晶圆厂启动核心设备搬入，预计 2026 年 Q4 量产，达产后总产能从 12.5 万片 / 月提升至 20 万片 / 月。同时加速 17nm DRAM 工艺研发，填补国内高端内存芯片空白。长鑫存储是国内唯一实现 DRAM 量产的企业，二期投产后将缓解全球 DRAM 供应紧张，芯片破解降低国内消费电子、服务器对海外存储芯片依赖，推动国产存储芯片市场份额从 5% 提升至 15% 以上。
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