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晶体管架构革命：从GAA到CFET的跨越单片机解密

时间：2026-03-01 来源：芯片解密浏览：2次字号：大中小

单片机解密GAA（全环绕栅极）全面量产：2025年被视为2nm工艺的“元年”，台积电（N2）、三星（SF2）和英特尔（18A）全面导入GAA纳米片（NanoSheet）技术。相比上一代FinFET，GAA通过四面环绕栅极有效控制漏电，使芯片在相同功耗下性能提升约30%，或在同性能下功耗降低50%。
CFET（互补场效应晶体管）原型突破：作为GAA的继任者，CFET技术在2025年底的IEDM大会上成为焦点。台积电和IMEC展示了将NMOS和PMOS晶体管在垂直方向堆叠的原型器件，将标准单元高度进一步压缩30%以上，解决了SRAM密度停滞的难题。虽然单片机解密CFET预计2027-2028年才量产，但2026年的技术验证标志着后摩尔时代的新路径已打通。
背面供电技术（BSPDN/PowerVia）：英特尔在18A节点、台积电在N2P节点率先量产背面供电网络。该技术将电源线移至晶圆背面，释放了正面信号布线资源，显著降低了电压降（IR Drop），提升了芯片频率和能效。