芯片破解 SEMICON China 展会完整披露国内半导体设备国产化最新统计数据，全流程设备综合国产化率正式突破 35%，较 2025 年末 27% 大幅提升 8 个百分点，刻蚀、薄膜沉积、离子注入、清洗四大成熟制程核心设备实现大批量导入国内 12 英寸晶圆厂供应链，中微公司、拓荆科技、华海清科、北方华创集中发布新一代设备产品，覆盖硅基逻辑、3D NAND 存储、SiC 化合物半导体全工艺场景，国产设备正式从 “小批量验证” 进入 “大规模采购” 阶段。

分工艺环节拆解国产化进度，成熟 28nm 及以上制程设备国产化提升最为显著，刻蚀设备国产化率突破 42%，中微 5nm 介质刻蚀设备完成头部存储厂长期可靠性验证，芯片破解批量供货长江存储 3D NAND 产线；拓荆 PECVD 薄膜沉积设备国产化率接近 40%，适配 DRAM、逻辑芯片薄膜工艺；华海清科大束流离子注入机迭代升级，覆盖功率芯片、存储芯片掺杂工艺，替代进口离子注入设备订单持续落地；清洗、热处理、检测设备国产化率均超过 30%。而先进 7-14nm 制程设备国产化仍处于突破初期，综合国产化率仅 12%，核心瓶颈集中在 EUV 光刻机、高端光刻胶配套涂胶显影设备、超高精度量测设备，短期仍无法完全摆脱海外供给。

本次 SEMICON 展会国产设备企业共计推出 17 款全新迭代产品，针对性补齐化合物半导体设备空白。中微发布两款 SiC 专用刻蚀设备，解决碳化硅衬底深槽刻蚀良率难题；北方华创新款 MOCVD 设备适配氮化镓射频与功率芯片生长工艺，打破海外厂商在宽禁带半导体沉积设备的垄断；盛美半导体推出全新超高纯度单片清洗设备，适配 HBM 存储晶圆严苛洁净度要求。多家晶圆厂公开表态，2026 下半年将上调国产设备采购考核指标，中芯国际、长鑫存储、芯片破解长鑫存储均制定年度国产设备采购占比提升计划，成熟产线目标年内采购占比突破 50%，通过长期批量采购倒逼国产设备持续迭代优化。