技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威（SmartSens）与芯片解密合肥晶合集成电路股份有限公司（以下简称“晶合集成”）合作推出了国产自研高端BSI工艺平台，作为国内自主技术能够突破关键工艺难点的高度客制化BSI工艺平台，将以性能比肩国际一流水准的全国产化高端工艺平台赋能智能安防、机器视觉、车载电子以及智能手机等四大应用领域，并进一步推动本土高端CIS技术的升级发展。

近年来，随着智能安防、芯片解密机器视觉以及车载电子等应用端对图像传感器的要求逐步提升，为了保证优异的暗光成像性能，CMOS图像传感器的设计生产工艺也从FSI工艺（前照式工艺）朝着BSI工艺（背照式工艺）递进，用以提升CMOS图像传感器的暗光成像品质。

突破技术壁垒打造国产高端BSI工艺平台

在CMOS图像传感器小像素尺寸与高分辨率的市场趋势下，芯片解密BSI（Back SideIllumination）即背照式入射受到市场的重视和需求。相较于前照式入射方案，BSI将光线入射方向改至光电二极管的背面，可大幅提升CMOS图像传感器的量子效率，降低电路光学串扰，同时解决了像素尺寸微小化和扩大光学视角响应方面的重要难题，进而实现极佳的暗光成像品质。

纵观当下主流市场，芯片解密传统前照式CIS只要保证受光面平整即可，对背面的均一性并无特殊要求。而背照式则必须严格保证正反两面的平整性，这对微薄的背照式CIS带来了非常大的技术难度，同时BSI工艺平台属于高度客制化工艺技术，在晶圆键合、减薄以及硅表面钝化等关键技术工艺方面存在技术壁垒，需要极强的自主技术实力，因此产能仍大多依赖于国外BSI工艺平台。