新型光继电器通过提高输入侧红外LED的光输出并优化光电探测器（光电二极管阵列）的设计，可实现高效的光耦合，将导通时间最大值缩短至150 μs。TLP3414S的导通时间比东芝现有产品TLP3414缩短约50 %，IC解密TLP3431S的导通时间比东芝现有产品TLP3431缩短约62 %。

此外，当输出打开时，这两款产品的导通电阻会影响信号衰减（TLP3414S：最大值3 Ω，TLP3431S：最大值1.2 Ω）；当输出关闭时，输出电容会影响高频信号泄漏（两款产品均为典型值6.5 pF）。新产品与东芝现有产品[2]相当，确保了稳定的信号传输。

新产品适用于半导体测试设备中的引脚电子[3]应用，可在开关信号的同时以高精度高速测量待测设备（DUT）。

新产品由于采用小型S-VSON4T封装IC解密，与东芝现有产品的VSON4封装[4]相比表贴面积减少了约20 %，有助于实现半导体测试设备和其他设备的小型化。

东芝将继续提供更多高性能产品，以满足半导体测试设备对更高性能和更快速度的需求。

应用：
半导体测试设备（高速存储器测试设备、高速逻辑测试设备等）；
探测卡；
测量设备。

特性：
高速导通时间：tON＝150 μs（最大值）；
低导通电阻：
TLP3414S RON＝3 Ω（最大值）；
TLP3431S RON＝1.2 Ω（最大值）；
小型S-VSON4T封装：1.45 mm×2.0 mm（典型值），厚度＝1.3 mm（典型值）。