芯片解密威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，Vishay亮相PCIM Asia 2026，集中展示最新半导体和无源器件技术。诚邀您莅临16号展厅C12展位，现场了解Vishay为AI基础设施和物理AI应用领域快速演进的需求所量身打造的产品及参考设计。

芯片解密围绕完整的AI电源架构，Vishay重点呈现从电网级电源基础设施到电路板级系统供电的参考设计与产品组合。展示方案覆盖固态变压器（SST）、DC/DC电源（PSU）、高压直流（HVDC）、DC/DC电源转换、电池备用单元（BBU）、超级电容器备用单元（CBU）、热插拔系统、软件定义汽车（SDV）以及人形机器人电机控制。此外，面向下一代车辆平台的汽车电源模块也将同台亮相。

芯片解密在AI电网基础设施领域，SST参考设计覆盖输入、直流隔离、输出和电压平衡级组件，包括额定值为11 μF / 1800 V的紧凑型金属化聚丙烯DC-Link薄膜电容器；额定值高达310 μF / 2000 V的高可靠性电力电子电容器；具有高纹波电流和长使用寿命的4端子牛角式铝电解电容器；工作电压高达5000 V的无电感功率电阻；以及采用EMIPAK 2B封装的SiC MOSFET功率模块。AC/DC PSU解决方案包括用于PFC和LLC级的第五代E系列MOSFET；用于同步整流和OR-ing应用的TrenchFET 第五代功率MOSFET；波形整流器；低正向电压桥式整流器；具有高正向浪涌能力的玻璃钝化整流器；针对高速硬开关钳位保护进行优化的SiC肖特基二极管；以及用于电流检测的大功率、低电阻Power Metal Strip电阻器。HVDC电源转换展品主要包括用于功率因数校正（PFC）、自举、滤波和预充电功能的解决方案。展出的重点产品包括几乎无反向恢复拖尾电流、开关损耗低的第四代SiC肖特基二极管，以及保证最小爬电距离为3.2 mm的贴片SiC肖特基二极管；工作温度高达+125 °C、具有高纹波电流能力及耐高温高湿的DC-Link薄膜电容器；以及能量吸收能力高达 300 J的PTC限流热敏电阻。

电路板级电源方面，Vishay展出薄型 PowerPAK SO-8DC 双面散热MOSFET解决方案，这些产品支持高达+175 °C的工作温度，具有低导通电阻及低栅极和输出电荷，可实现高效开关；还将展出用于栅极驱动应用的厚膜芯片电阻器，这些产品具备出色的脉冲负载能力、增强的功率等级以及双面印刷电阻元件。BBU和CBU展品包括电流高达260 A、线圈与铁芯绝缘电压达350 V_DC的扁线绕线电感器；额定电流高达150 A、线圈与磁芯绝缘电压达1500 V_DC的IHDV功率电感器；额定电流高达100 A的IHLP功率电感器；以及输出滤波电容器。热插拔系统将展示额定功率达150 W、脉冲吸收能力达75 J/0.1 s的用于预充电和放电应用的功率电阻。