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UCIe接口的S参数提取与眼图分析芯片解密

芯片解密随着Chiplet技术成为异构集成的主流方案,UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express)接口的信号完整性成为制约系统性能的关键瓶颈。本文提出一种基于多物理场仿真的信号完整性优化方法,通过全波电磁仿真提取UCIe接口的S参数,结合时域眼图分析评估通道性能。实验表明,该方法使UCIe通道的插入损耗降低22%,眼图张开度提升35%,误码率(BER)优于10^-15,为3nm及以下制程Chiplet设计提供可靠保障。


引言

1. Chiplet互连挑战

高频信号衰减:

UCIe 1.0标准支持32Gbps/lane速率,通道衰减达-20dB@16GHz

封装基板介质损耗(Dk≈3.8, Df≈0.015)加剧信号畸变

串扰与反射:

微凸点(Microbump)间距<10μm导致近端串扰(NEXT)>-30dB

阻抗不连续点(如过孔、拐角)反射系数>0.2

多物理场耦合:

热应力使基板介电常数漂移(ΔDk~0.1)

电源完整性(PI)噪声耦合至信号线(SSN>50mV)

2. UCIe接口优化需求

关键指标 UCIe 1.0要求 优化目标

插入损耗 < -15dB@16GHz < -12dB@20GHz

回波损耗 >10dB@DC-20GHz >15dB@DC-25GHz

芯片解密眼图高度 >400mV(PAM4) >550mV(PAM4)

抖动(RMS) <5ps <3ps


S参数提取与通道建模

1. 全波电磁仿真方法

(1) 仿真流程

三维建模:

包含微凸点、重分布层(RDL)、过孔等关键结构

最小网格尺寸<λ/20(λ为16GHz电磁波波长)

材料参数:

基板:Rogers RO4835(Dk=3.48, Df=0.0037)

铜箔:表面粗糙度Ra<0.3μm



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